Numéro de produit du fabricant:
TSM4NB60CH C5G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM4NB60CH C5G-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
22491 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897341
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM4NB60CH C5G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
TSM4NB60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
TSM4NB60CH C5G-DG
TSM4NB60CHC5G
TSM4NB60CHX0G-DG
TSM4NB60CH X0G
TSM4NB60CHX0G
TSM4NB60CH X0G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM7NC60CF C0G
MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S
TSM085P03CV RGG
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
TSM6N50CH C5G
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
